芯片設計：確定芯片的目的和功能，如邏輯芯片、儲存芯片等，編寫芯片細節形成HDL代碼，再通過EDA軟件將代碼轉化成邏輯電路圖、物理電路圖，Zui后制作成光掩模.

晶片制造：先將沙子冶煉為工業硅，提純為多晶硅，拉成單晶硅棒，經打磨切割等操作得到硅片。然后對硅片進行沉積、光刻、刻蝕、離子注入等工藝的循環往復，包括涂上光刻膠后用光刻機曝光、刻蝕掉特定區域、離子注入改變載流子濃度和導電類型等，重復多次形成晶體管和電路.

封裝測試：對晶圓檢查后進行底部打磨，切片成晶片，放入涂有銀膠的引線框烘烤固化，貼片焊線，Zui后測試分選.

圖案轉移：光刻機能夠將光源通過掩膜投影到硅片上的光刻膠，使光刻膠曝光形成所需圖案，從而將掩膜上的電路結構、晶體管、連線等圖案地轉移到芯片表面，定義芯片的關鍵尺寸.

實現高分辨率和精度：其分辨率決定了芯片上可形成的Zui小特征尺寸，精度則保證了圖案的位置和形狀，有助于制造更小、更密集的電路結構，提高芯片的集成度、性能和可靠性，滿足先進芯片的制造要求.

多層圖案疊加：芯片制造涉及多層圖案制作，光刻機可處理不同層次掩膜，并將它們疊加在芯片表面，實現復雜的芯片電路結構.

提高制造效率：具有高速度和自動化控制能力，能快速準確地完成大批量芯片制造，可處理大尺寸硅片，在短時間內實現圖案轉移和曝光.