記錄失效現象：詳細記錄電子元器件在 ESS 過程中的失效表現，如是否出現短路、開路、參數漂移、功能異常等情況。例如，觀察到某個電容在溫度循環測試后出現短路，這就是一個關鍵的失效現象。

收集測試數據：收集 ESS 過程中的相關測試數據，包括環境應力參數（如溫度變化范圍、振動頻率和加速度等）、測試時間、失效發生的時間點以及失效前的性能參數等。這些數據有助于初步判斷失效可能與哪些因素有關。

宏觀檢查：使用肉眼或低倍顯微鏡對失效元器件進行外觀檢查。查看是否有明顯的物理損傷，如封裝破裂、引腳折斷、燒焦痕跡、腐蝕現象等。例如，發現一個集成電路芯片的封裝表面有微小的裂紋，這可能是由于溫度變化導致的熱應力損傷。

微觀檢查：借助掃描電子顯微鏡（SEM）等設備進行微觀檢查，觀察元器件表面的微觀結構和缺陷。可以發現一些如金屬化層脫落、焊點微裂紋等問題。

電氣性能測試：在不破壞元器件結構的前提下，對其進行基本的電氣性能測試，如測量電阻、電容、電感、擊穿電壓等參數。通過與正常元器件的參數對比，確定電氣性能是否發生改變以及改變的程度。例如，一個電阻在 ESS 后阻值發生了超出公差范圍的變化，這可能暗示內部結構出現了問題。

X 射線檢測：利用 X 射線透視元器件內部結構，檢查是否存在內部引線斷裂、芯片移位、內部短路等問題。對于多層電路板或封裝結構復雜的元器件，這種方法尤為有效。

開封檢查：如果非破壞性分析無法確定失效原因，需要對元器件進行開封處理。打開封裝后，檢查芯片、引線、鍵合等內部結構。例如，在開封后發現芯片表面有金屬遷移現象，這可能是導致短路失效的原因。

切片分析：將元器件進行切片，觀察其內部的截面結構，檢查是否存在分層、空洞、裂紋等缺陷。這種方法常用于分析焊點、封裝材料和芯片內部的失效情況。

綜合分析：結合前面收集的信息、外觀檢查、非破壞性分析和破壞性分析的結果，綜合判斷失效的根本原因。可能的原因包括原材料缺陷、制造工藝問題、設計不合理、環境應力超過耐受極限等。

失效模式分類：將失效原因歸類為不同的失效模式，如熱失效、機械失效、電應力失效、化學失效等。例如，如果是由于溫度過高導致芯片內部的金屬連線熔斷，就屬于熱失效模式。